PCVD工艺：
一根洁净的石英管作为PCVD沉积的衬管，被固定在真空泵与气流控制器（MFC）之间。该装置可以控制四氯化硅（SiCl4）、四氯化锗（GeCl4）氟里昂（C2F6）气体与氧气（O2）充分精确的按照预先设定的比例混合，并在特定的低压下注入衬管内。
往返移动的谐振腔包围着部分衬管，通过波导将数千瓦的微波能量耦合至气体混合物。微波能在石英管内产生出一个局部非等温、低压的等离子体。等离子体内的气体互相作用，发生反应。此时的等离子体电子运动产生等量于6000摄氏度的高温，远远高于周围保温炉的温度。
四氯化硅（SiCl4）与氧气（O2）发生反应后生成的纯二氧化硅（SiO2），四氯化锗（GeCl4）与氧气（O2）发生类似反应后，产生可以提高折射率的掺杂物：二氧化锗（GeO2）。同时，氟里昂（C2F6）气体中的主要成分：氟反应生成物降低了折射率。通过这种方法可以令华的改变光纤的折射率，且沉积直接在透明的管壁上进行，无任何粉尘产生。
谐振腔的每次往返，气体的混合比例都可以改变知道多达数千层的沉积层，这样可以得到极其精确的预制棒芯层以及光纤的折射率剖面曲线。由于所涉及的任何折射率的剖面均可在PCVD沉积车床上制成，因此一台PCVD沉积车床可以通用，适合生产任何型号的预制棒，不论多模或单模。
PCVD工艺的沉积效率极高，氟与二氧化硅的沉积率几乎可以达到100%。因此，原材料可以得到高效的利用。
 | PCVD工艺： 高品质的怡和光纤源于精湛的PCVD工艺。PCVD工艺是全世界生产预制棒和光纤四大工艺之一，能够生产国际标准的各种光纤。 |
| 熔 缩：沉积后的下一步就是把沉积管熔缩成实心棒。沿管子方向往返移动的石墨电阻炉对不断旋转的管子加热到大约2200摄氏度，在表面张力的作用下，分阶段将沉积好的石英管熔缩成一根实心棒（预制棒）。 |
| 套 棒：为获得光纤芯层与包层材料的适当比例，将熔缩后的石英棒套入一根截面积经过精心挑选的管子中，这样装配后即可以进行拉丝。 |
| 拉 丝：套棒被安装在拉丝塔的顶部，下端缓缓放入约2100摄氏度的高温的炉中。此端融化后备拉成所需包层直径的光纤（通常为125CM）并进行在线双层涂覆和紫外固化。 |
| 光纤测试：拉出的光纤要经过各种测试，以确定光纤的几何、光学和机械性能。 |
